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《半导体技术》2020年02期
 
更新日期:2021-02-03   来源:半导体技术   浏览次数:108   在线投稿
 
 

核心提示:目录趋势与展望GaN微电子学的新进展(续)赵正平;89-98GaN功率开关器件研究现状王玮;王宏兴;99-109半导体集成电路45Gbit/sVCSEL阵

 
目录
趋势与展望
GaN微电子学的新进展(续)赵正平;89-98
GaN功率开关器件研究现状王玮;王宏兴;99-109半导体集成电路
4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路陈强军;赵聪;郭迪;孙向明;110-115
一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构窦怀阳;薛晓勇;冯洁;116-121
一种用于卫星导航的超低噪声放大器张晓朋;高博;陈雪龙;李朋;122-127
一种用于5G移动通信基站的大功率射频开关谷江;丁理想;高博;张晓朋;李沛鸣;128-132+162半导体器件
1550nm InAs/GaAs量子点调Q光纤激光器秦亮;王旭;刘健;蒋成;陈红梅;张子旸;133-137+168
IGBT模块实时温度反馈的动态热网络模型胡丰晔;崔昊杨;卓助航;张宇;周坤;138-144
栅介质对随机掺杂波动引起MOSFET性能变化的影响司鹏;姚丰雪;章凯;吕伟锋;145-149半导体材料
二维材料光电探测器的研究进展(续)张恒康;冀婷;李国辉;韩娜;王英奎;王文艳;郝玉英;崔艳霞;150-157
Si/Mg/Fe掺杂β-Ga2O3单晶拉曼光谱表征及分析张胜男;练小正;张颖;王健;刘卫丹;程红娟;158-162半导体检测与设备
高压大功率IGBT器件高温阻断测试结温检测方法张雷;163-168
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