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企业指南
科技部：我国6G研发正式启动1
发展5G是国家战略 基础研究是重中之重1-2
注册资本2041.5亿元 大基金二期正式成立2
北京5G产业白皮书：重点支持6英寸SiC和GaN芯片工艺平台3国内外半导体技术与器件
UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET具有更高效率和更低损耗3-5
Pre-Switch的软开关IGBT和SiC栅极驱动架构大幅降低了太阳能逆变器的成本5
科锐Cree完成首批200mm(8英寸)碳化硅晶圆制样5-6
Soitec宣布与Applied Materials联合开发下一代碳化硅衬底的开发计划6-7
Ⅱ-Ⅵ签署史上金额最大订单超1亿美元为5G基站射频功率放大器提供碳化硅衬底7
英国科学家发现砷化镓存不稳定性或可为汽车等研发更好的电子产品8
日本团队开发新型GaN晶体制造装置8-9
英飞凌在CoolGaN产品组合中增加了400V和600V器件9-10
金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率10-11
北京大学借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长11
GaN(氮化镓)逆变器成功应用于电动汽车有望实现节能再增20%12
Nexperia推出高性能高效率氮化镓功率器件(GaN FET)12-13
FBH主导的“基于AlN的功率晶体管(ForMikro-LeitBAN)”的项目启动13-14
Vishay推出新款共漏极双N沟道60V MOSFE14-15
ADI的RF前端系列支持实现紧凑型5G大规模MIMO网络无线电15-17
世界首次Plessey宣布开发出硅基InGaN红光LED17
TDK推出用于5G网络毫米波段的积层带通滤波器18市场动态
2020年半导体有望复苏 预计获利年增8至12%18-19
半导体市场随5G崛起迎来复苏19-21
2023年RF GaN市场增长至17亿美元，Qorvo等受益21
GaN和SiC增利效应拉高 市场竞逐日趋白热化21-24
电动车技术持续演进 SiC厂商积极布局抢占市场25-27
日本化学厂扩产抢5G商机住友化学GaN晶圆扩产至3倍27
打造产业地标 国基南方射频集成电路产业化项目启动27-28
200亿元功率芯片项目落户赣州28
总投资不低于600亿元8英寸和12英寸晶圆项目在绍兴奠基28-29
总投资62亿元 山东有研12英寸大硅片项目落地山东德州29-30
总投资25亿元的集成电路制造项目签约落户浙江嘉兴30
总投资15亿元的氮化镓半导体材料项目开工建设30-31
总投资10.5亿元 浙江省首个第三代半导体材料项目落户宁波31
投资50亿元 中国最大碳化硅材料供应基地即将投产31-32
士兰微增资两参股公司 加快建设12吋IC芯片等两条生产线32
再砸20亿元搞芯片 格力电器参与三安光电定增32-33
国内首家规模最大半导体大硅片基地：中欣晶圆半导体项目正式投产33
加码布局第三代半导体 耐威科技拟投建氮化镓晶圆制造项目34
兰溪首个化合物半导体项目正式投产35
全球最大硅基OLED生产工厂合肥视涯建成投产35-36
瀚天天成使用AIXTRON设备加速SiC器件商业化进程36