目录
电路与系统设计
基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源杨晗;侯晨琛;钟泽;谢家志;廖书丹;1-4
一种可配置的电容-电压转换电路朱紫兰;李文昌;杨文轩;刘剑;5-9
一种高侧功率开关的输出短路保护电路梁怀天;方舟;罗攀;易子皓;甄少伟;乔明;张波;10-15+21
用于神经刺激器的单电感双极性直流电压转换器孙雷;张育维;张沕琳;李冬梅;16-21
一种采用SCOVP技术的高频率稳定度Buck变换器章玉飞;甄少伟;杨明宇;罗攀;易子皓;方舟;罗萍;张波;22-27
一种GaN半桥驱动器电平移位电路设计成松林;向乾尹;冯全源;28-32
一种高精度滞环控制恒流LED驱动电路钱希琛;邓红辉;陈尚存;张俊;33-39
一种多相DC-DC数字控制器的设计武昕;甄少伟;陈思远;白正杨;胡怀志;罗萍;张波;40-46
一种2阶小阻尼系数负载的快速补偿驱动法潘高;张波;47-51+56
一种新颖的多值基准输出缓冲器设计胡敏;冯全源;52-56
具备谐波抑制的高阶有源N路径带通滤波器李捷;韦保林;岳宏卫;韦雪明;徐卫林;段吉海;57-63
一种基于溢出值的局部拥塞消除技术吴伟;邸志雄;陈锦炜;冯全源;64-67
一种无均流外环并联DC-DC变换器的设计郗登笛;代国定;武强;陈宇峰;姚如雪;68-72
一种基于BCD工艺的宽压-宽温电流基准电路邵刚;刘敏侠;田泽;73-78
一种低延迟极化码串行抵消译码器设计王晓蕾;林青;戴吴骏;79-84
基于差分编码技术的12.5Gbit/s高速SerDes发射机彭嘉豪;李儒章;付东兵;丁一;杨虹;85-90
动态与综述
硅基自旋量子比特技术研究进展戴永红;赖凡;刘荣贵;91-95
半导体器件与工艺
新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管谯彬;陈万军;高吴昊;夏云;张柯楠;孙瑞泽;96-100
一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件李孟窈;刘云涛;蒋忠林;101-105
基于RF MEMS开关的交指型可切换带通滤波器设计韩路路;吴倩楠;王姗姗;范丽娜;李孟委;106-111
强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究刘玉奎;殷万军;谭开洲;崔伟;112-115+120
一种隐埋缓冲掺杂层高压SBD器件新结构高闻浩;孙启明;冉晴月;简鹏;陈文锁;116-120
深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究仲崇慧;于晓权;121-125
产品与可靠性
28nm WLP封装中PBO结构对CPI可靠性的影响秦冲;毛海央;陈险峰;李义;126-131
静电注入对55nm MV/HV GGNMOS ESD性能的影响王新泽;毛海央;金海波;龙克文;132-136
22nm FD-SOI 静态随机存储器的可靠性研究贺泽;蔡畅;赵凯;赵培雄;李东青;刘天奇;刘杰;137-141
金丝球焊复合键合工艺可靠性研究燕子鹏;赵光辉;谢廷明;周成彬;142-145
基于物联网平台的智慧园区设计与应用韩存地;刘安强;张碧川;刘航;李幸;边帅;陈婕;146-150
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