目录
电路与系统设计
基于gm/Id方法的Pipelined-SAR ADC高性能余量放大器设计饶晨光;肖瑞;桑庆华;邓红辉;295-302
一种用于Flash的新型电荷泵调节技术熊力;黄鲁;303-307
应用于热电能量收集的低压自启动电路崔鹏;韦保林;梁展荣;宣艳;徐卫林;韦雪明;段吉海;308-313
一种基于0.13μm SiGe工艺的77 GHz功率放大器黄继伟;朱嘉昕;314-318
适用于能量收集系统的低功耗迟滞比较器梁展荣;韦保林;崔鹏;宣艳;徐卫林;韦雪明;岳宏卫;段吉海;319-323
一种7～13 GHz低插损6位数字衰减器翟英慧;万晶;林福江;叶甜春;阎跃鹏;梁晓新;324-329
一种新型的高效率高压同步整流电路设计贺旭东;邓亚旭;陈勇屹;330-335
一种高精度片内电阻校准电路设计韦雪明;熊晓惠;侯伶俐;336-340+346
一种相位差和分配比同时可调的可重构功分器杨虹;雷鹏;彭洪;叶青松;易胜宏;341-346
基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究杨镓溢;王旭光;秦文龙;杨亮亮;347-350
一种新型的密码芯片安全评估方法杨雪;张弛;单伟君;王立辉;李清;俞军;351-356
一种可编程高速宽带分频器李杰;徐骅;吴炎辉;张孝勇;张真荣;刘永光;唐睿;357-362
射频电路ESD防护优化设计彭雄;徐骅;刘韬;陈昆;乔哲;袁波;363-367
模型与算法
基于响应曲面建模的LS频段VCO优化设计段文娟;刘博;张金灿;孟庆端;368-373
动态与综述
NAND闪存错误缓解技术综述曹馥源;刘杨;霍宗亮;374-381
SiC MOS器件界面钝化研究进展朱浩;张静;李鹏飞;袁述;382-389
先进MOSFET中1/f噪声研究进展马婷;任芳;夏世琴;廖希异;张培健;390-398
半导体器件与工艺
机械应力对双极晶体管β的影响研究刘勇;刘建;张培健;王飞;肖添;399-403
一种P-GaN栅极结合槽栅技术的增强型HEMT乔杰;冯全源;404-408
一种快速开启的低触发改进型DTSCR姜桂军;杜飞波;刘继芝;刘志伟;409-412
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究王菡滨;刘梦新;毕津顺;李伟;413-417+423
对称双悬臂梁结构MEMS微波功率传感器研究左文;刘琪才;张聪淳;王德波;418-423
30 V UMOS中影响导通电阻平坦度的因素分析周熹;冯全源;424-428
总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究吴昱操;罗萍;蒋鹏凯;429-433
电容式MEMS微波功率传感器过载功率的优化张聪淳;何渊;谢嘉诚;王德波;434-438
一种具有双异质结的氮化镓高压肖特基二极管韩春林;孙涛;周建军;439-443
产品与可靠性
增强型氮化镓功率器件的总剂量效应陈思远;于新;陆妩;王信;李小龙;刘默寒;孙静;郭旗;444-448
测试与封装
金锡合金自动共晶焊接工艺参数优化研究李茂松;黄大志;朱虹姣;胡琼;449-454
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