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《半导体技术》2021年04期
 
更新日期:2022-10-17   来源:半导体技术   浏览次数:132   在线投稿
 
 

核心提示:目录趋势与展望陶瓷基板研究现状及新进展陆琪;刘英坤;乔志壮;刘林杰;高岭;257-268半导体集成电路一种电力专用SOC的低功耗小面积A

 
目录
趋势与展望
陶瓷基板研究现状及新进展陆琪;刘英坤;乔志壮;刘林杰;高岭;257-268
半导体集成电路
一种电力专用SOC的低功耗小面积ADPLL设计陶伟;汤文凯;蒋小文;张培勇;黄凯;269-273+309
6~18GHz GaAs射频前端多功能MMIC成立鑫;要志宏;274-278
基于130nm SOI工艺数字ASIC ESD防护设计米丹;周昕杰;周晓彬;279-285
基于三维集成技术的Ku波段四通道T/R模块张鸣一;朱春雨;刘文豹;要志宏;286-289+329
半导体器件
1200V/600A SiC功率模块的设计与实现王志超;290-294+323
高性能GaN微波整流肖特基二极管的设计和制作钟易润;李杨;谭庶欣;蒲涛飞;罗向东;敖金平;295-299+336
一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块王清源;吴洪江;赵宇;赵永志;300-304+336
半导体材料
水冷系统对直拉法生长大直径硅单晶拉速的影响李明智;305-309
先进封装技术
硅基MOSFET功率放大器TO-3封装热性能研究李平;吴潇巍;周金清;310-315
可靠性
基于Transformer模型的IGBT剩余寿命预测葛建文;黄亦翔;陶智宇;刘成良;316-323
T字型硅通孔不同位置界面裂纹扩展研究李娜;张立文;张金灿;李阳;324-329
半导体检测与设备
高温可靠性试验对SiC MOSFET特性参数的影响
杜泽晨;吴沛飞;桑玲;赵志斌;杨霏;吴军民;330-336
《半导体技术》稿约268
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