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《半导体技术》2021年06期
 
更新日期:2022-10-17   来源:半导体技术   浏览次数:160   在线投稿
 
 

核心提示:目录趋势与展望GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)朱彦旭;李锜轩;谭张杨;李建伟;魏昭;王猜;417-425+439基于Ga

 
目录
趋势与展望
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)朱彦旭;李锜轩;谭张杨;李建伟;魏昭;王猜;417-425+439
基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展涂睿;刘宏宇;孙润光;厉凯;艾世乐;汤昊;426-433
半导体集成电路
一种抑制选通器耐受性退化的两步写入方法李雨佳;唐建石;高滨;许峰;李辛毅;张万荣;吴华强;钱鹤;434-439
基于异构集成技术的相控阵T/R组件微系统乔明昌;刘恩达;赵永志;赵宇;440-444
一种降低频率合成器相位噪声的高增益电荷泵翟奇国;魏鲁;袁昊煜;445-450
一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC王贵德;范举胜;451-455
半导体器件
基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器王洪培;王旭;王顺;刘健;蒋成;张子旸;456-460+473
高可靠性大功率808nm半导体激光器张发智;张岩;彭海涛;宁吉丰;王彦照;王英顺;陈宏泰;461-465
考虑温度影响的SiC MOSFET动态性能分析与优化王彦楠;李铮;杨鹏飞;刘伟;466-473
半导体制备技术
氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性卫新发;梁国松;张育民;王建峰;徐科;474-478
高亮度硅纳米晶发光峰位的调制陈家荣;王东辰;陆明;张弛;张玉琼;479-484
PVA辅助生长大面积连续少层MoS2薄膜郭佳兴;王进;曹林洪;符亚军;485-491
半导体检测与设备
多通道T/R组件多热源耦合仿真模型彭浩;桂明洋;迟雷;宋瑛;492-496
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