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《固体电子学研究与进展》2021年03期
 
更新日期:2022-11-25   来源:固体电子学研究与进展   浏览次数:116   在线投稿
 
 

核心提示:目录三维集成射频微系统(专栏)基板堆叠型三维系统级封装技术庞学满;周骏;梁秋实;刘世超;161-165多种添加剂及电流密度对高径深TSV

 
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三维集成射频微系统(专栏)
基板堆叠型三维系统级封装技术庞学满;周骏;梁秋实;刘世超;161-165
多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究李杰;王雷;姜理利;黄旼;郁元卫;张洪泽;陈聪;166-170
宽禁带半导体
SiC光触发晶闸管的发展与挑战王曦;蒲红斌;封先锋;胡继超;刘青;杨勇;谌娟;171-175+181
一种平衡式GaN内匹配宽带功率放大器设计梁宸玮;钟世昌;176-181
射频与微波
6~18GHz超宽带功率放大器脊波导合成技术研究乔克;成海峰;王仁军;韩煦;马晓华;喻先卫;182-186+222
用于无人机侦测的超宽带微波接收机研究丁勇;苏坪;夏新凡;张乐琦;刘永杰;187-191+209
高选择性5G毫米波SIW双频滤波器赵辉;刘太君;慕容灏鼎;刘庆;周挺;代法亮;192-196
基于折叠短截线耦合理论的新型宽带带阻滤波器设计张友俊;彭姚;吴国青;197-202
手持终端小型MIMO智能天线阵列的优化设计魏盼盼;王峰;文舸一;203-209
硅微电子学
一款8 bit 480MS/s逐次逼近型模数转换器吴琪;张润曦;石春琦;210-216+228
一种高电源电压抑制比的带隙基准电压源设计刘小妮;刘斌;张志浩;章国豪;217-222
一种适用于超高频标签芯片的低功耗电压基准电路沈红伟;赵东艳;唐晓柯;李德建;冯曦;223-228
材料与工艺
栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响戚永乐;王登贵;周建军;张凯;孔岑;孔月婵;于宏宇;陈堂胜;229-234
CMOS芯片键合失效分析与研究刘波;崔洪波;余超;235-240
研究简讯
最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件戴姜平;孙岩;李征;常龙;姚靖懿;程伟;241
启事240
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