目录
宽禁带半导体
基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片孔令峥;彭龙新;陶洪琪;张亦斌;闫俊达;王维波;韩方彬;429-434+472
器件物理与器件模拟
电力系统用高电压快速恢复二极管坚固性优化和峰;刘钺杨;刘江;李翠;王耀华;晁武杰;金锐;魏晓光;435-440+478
新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化糜昊;马鑫;苗渊浩;芦宾;441-448
背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理王海洋;郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗;449-455
射频微波与太赫兹
碟形天线耦合的CVD石墨烯室温太赫兹探测器魏仲夏;吴云;曹正义;陶然;李忠辉;456-460
一种高线性宽带功率合成的射频功率放大器汤委龙;张志浩;章国豪;彭林;陈思弟;461-466
大动态高速响应数字AGC功能电路的实现原庆;刘希淼;梁雪明;467-472
基于慢波特性扇形SIW的可调带通滤波器佘金川;陈耀忠;王凯;李正雄;张胜;仝梦寒;473-478
SiP模块键合线疲劳寿命预测及可靠性分析孙廷孝;巫君杰;王熙文;沈仕奇;朱旻琦;479-483+504
硅微电子学
基于级间电容抵消技术的74～88 GHz高性能CMOS LNA设计康志谋;邹林峰;蒋欣怡;石春琦;张润曦;484-491
基于优化正弦幅度相位相减法的并行高速ASIC数控振荡器设计任凤霞;卓琳;李琨;邵杰;万书芹;492-497
用于5G移动终端N77频段的低噪声放大器设计陈亮;高洁;李亚军;屠德成;498-504
材料与工艺
基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究于海龙;高汉超;王伟;马奔;尹志军;李忠辉;505-509
少层氮化硼的生长机理及技术研究李传皓;李忠辉;彭大青;张东国;杨乾坤;潘传奇;沈睿;510-514+520
交叉深沟槽硅外延的生长研究倪立华;范晓;王函;张召;李佳龙;515-520
研究简讯
60 GHz 带宽石墨烯光电探测器陶然;吴云;曹正义;王东辰;李冠宇;李忠辉;527
《固体电子学研究与进展》2022年（第42卷)第1～6期总目次521-526