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期刊专访
金刚石衬底异质集成GaN HEMT——新一代固态微波功率器件——专访中国电科集团有限公司制造工艺领域首席科学家陈堂胜曹敏华;287-288
宽禁带半导体
Si/SiC混合并联功率器件开关模式优化及特性分析贝斌斌;乐程毅;289-295
X波段GaN千瓦级功率放大器的设计斛彦生;黄旭;王毅;李剑锋;倪涛;银军;郭艳敏;296-301
器件物理与器件模拟
高压二极管阻断I-V特性研究赖桂森;谢桂泉;郭卫明;王晨涛;焦石;洪波;张磊;302-305+323
一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构张超;王彩琳;刘园园;杨武华;苏乐;306-310
射频微波与太赫兹
一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术廖龙忠;周国;毕胜赢;付兴中;张力江;311-315
统计静态时序分析方法综述郭静静;赵东敏;蔡志匡;316-323
0.3～3.0GHz超宽带高精度数控移相器的设计李光超;蒋乐;豆兴昆;于天新;褚水清;324-328
低成本高性能背腔缝隙阵列天线杜勇;汤一铭;章博;329-334
一种含隐藏吸引子的新型忆阻超混沌系统张国桢;王聪;张宏立;335-340
硅微电子学
级联PA的效率优化策略及其在55nm CMOS E波段PA中的应用方宗华;黄磊磊;刘博晓;石春琦;张润曦;341-346
一种低噪声全差分电荷泵型锁相环的实现师勇阁;胡勇华;高秋辰;347-352
微纳米技术
一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器孙俊峰;姜理利;刘水平;郁元卫;朱健;黎明;陈章余;353-358
材料与工艺
增强型AlGaN/GaN HEMT器件中子位移损伤效应研究邱一武;马艺珂;张平威;殷亚楠;周昕杰;359-365+374
栅控二极管ESD工艺优化方法研究贺琪;赵晓松;张庆东;顾祥;赵杨婧;366-369
Pb90Sn10焊点硅基器件与PCB板组装的温循可靠性研究张君直;凌显宝;袁汉钦;田飞飞;370-374
研究简讯
低压硅基GaN射频器件张凯;朱广润;房柏彤;王伟凡;汪流;陈堂胜;375