目录
特邀综述
无衍射光束的产生及其应用刘会龙;胡总华;夏菁;吕彦飞;10-28青年科学评述
过渡金属硫族化合物柔性基底体系的模型与应用周愈之;30-38综述
冷等离子体强化制备金属催化剂研究进展李壮;底兰波;于锋;张秀玲;40-51
新型机械解理方法在二维材料研究中的应用许宏;孟蕾;李杨;杨天中;鲍丽宏;刘国东;赵林;刘天生;邢杰;高鸿钧;周兴江;黄元;53-63总论
一种强噪声背景下微弱超声信号提取方法研究王大为;王召巴;65-77
窄带随机激励双稳压电悬臂梁响应机制与能量采集研究吴娟娟;冷永刚;乔海;刘进军;张雨阳;79-95
飞秒脉冲非对称互相关绝对测距彭博;曲兴华;张福民;张天宇;张铁犁;刘晓旭;谢阳;97-102
基于光照-反射成像模型和形态学操作的多谱段图像增强算法王殿伟;韩鹏飞;范九伦;刘颖;许志杰;王晶;104-114
对比度阈值函数修正对于NVThermIP模型的影响吴元庆;王洋;张延涛;张宇峰;刘春梅;116-123核物理学
基于裂变γ标识技术的瞬发裂变中子谱测量新方法何铁;肖军;安力;阳剑;郑普;125-132原子和分子物理学
电极位置和截面尺寸对分子器件输运性质的调控樊帅伟;王日高;134-139
Sb,S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理分析丁超;李卫;刘菊燕;王琳琳;蔡云;潘沛锋;141-147
Rydberg原子的电磁诱导透明光谱的噪声转移特性贾玥;陈肖含;张好;张临杰;肖连团;贾锁堂;149-155
CO分子四个电子态的振转谱:两种效应修正方法的比较徐慧颖;刘勇;李仲缘;杨玉军;闫冰;157-163
Xe-NH(X~3Σ~-)体系的势能面和冷碰撞动力学研究乔政;王雅丽;吴明伟;凤尔银;黄武英;165-171电磁学、光学、声学、传热学、经典力学和流体动力学
基于石墨烯的宽带全光空间调制器莫军;冯国英;杨莫愁;廖宇;周昊;周寿桓;173-179
基于瞬态光栅频率分辨光学开关装置的阿秒延时相位控制黄沛;方少波;黄杭东;赵昆;滕浩;侯洵;魏志义;181-187
1550 nm垂直腔面发射激光器的特征参量随温度的变化马凌华;夏光琼;陈建军;吴正茂;189-195
相对论圆偏振激光与固体靶作用产生高次谐波蔡怀鹏;高健;李博原;刘峰;陈黎明;远晓辉;陈民;盛政明;张杰;197-204
基于重复编码的海上可见光通信大气信道建模郑晓桐;郭立新;程明建;李江挺;206-212
非局域高次非线性介质中的多极暗孤子郑一帆;黄光侨;林机;214-227
新型二维压电声子晶体板带隙可调性研究廖涛;孙小伟;宋婷;田俊红;康太凤;孙伟彬;229-236
样品表面银膜的粗糙度对钛酸钡微球成像性能的影响王建国;杨松林;叶永红;238-243
基于拓展分离变量法的层合材料瞬态传热分析李长玉;林水木;戴海燕;吕东霖;245-252
激光聚焦扰动作用下高超声速边界层稳定性实验研究刘小林;易仕和;牛海波;陆小革;254-265
前缘曲率对三维边界层内被激发出非定常横流模态的影响研究陆昌根;沈露予;267-276
表面弹性对含可溶性活性剂垂直液膜排液的影响叶学民;李明兰;张湘珊;李春曦;278-290
固体炸药爆轰的一种考虑热学非平衡的反应流动模型李诗尧;于明;292-303气体、等离子体和放电物理
光子与相对论麦克斯韦分布电子散射截面的蒙特卡罗计算方法李树;305-313凝聚物质:结构、力学和热学性质
铝中气泡在电子束辐照下的异常放热现象杜玉峰;崔丽娟;李金升;李然然;万发荣;315-321
绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究彭超;恩云飞;李斌;雷志锋;张战刚;何玉娟;黄云;323-332凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
石墨烯纳米片磁有序和自旋逻辑器件第一原理研究池明赫;赵磊;334-341
电化学析氢反应中单层MoSe2氢吸附机理第一性原理研究徐紫巍;石常帅;赵光辉;王明渊;刘桂武;乔冠军;343-352
双波长自由载流子吸收技术测量半导体载流子体寿命和表面复合速率王谦;刘卫国;巩蕾;王利国;李亚清;354-360
石墨烯与金属的欧姆接触理论研究蒲晓庆;吴静;郭强;蔡建臻;362-367
第一性原理研究half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi的半金属铁磁性姚仲瑜;孙丽;潘孟美;孙书娟;刘汉军;369-377
基于拓扑优化设计的宽频吸波复合材料莫漫漫;马武伟;庞永强;陈润华;张笑梅;柳兆堂;李想;郭万涛;379-388
Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理徐峰;于国浩;邓旭光;李军帅;张丽;宋亮;范亚明;张宝顺;390-395
类石墨烯结构二维层状碳化硅的非线性二次谐波特性的第一性原理研究施佳妤;蓝尤钊;397-406物理学交叉学科及有关科学技术领域
外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga2O3纳米线及其特性研究冯秋菊;李芳;李彤彤;李昀铮;石博;李梦轲;梁红伟;408-413
直拉硅单晶生长过程中工艺参数对相变界面形态的影响张妮;刘丁;冯雪亮;415-426
