《半导体技术》是由中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。本刊是中文核心期刊、中国科技核心期刊,不仅被中国期刊网、中国学术期刊(光盘版)、万方数据数字化期刊群入网期刊、中文科技期刊数据库等国内数据库收录,而且被美国《化学文摘》(CA)、美国《剑桥科学文摘》(CSA)、英国《科学文摘》(SA,INSPEC)、俄罗斯《文摘杂志》(AJ,VINITI)、美国《乌利希期刊指南》(Ulrich’s) 等国外数据库收录。
1. 征稿范围
半导体新材料的研发、半导体器件(CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管、存储器等)和技术、集成电路设计与应用、先进半导体制造技术和封装技术、可靠性(功率器件可靠性、ESD技术等)、检测技术与设备等领域国内外的研究进展和最新研究成果。主要栏目:趋势与展望、半导体材料与器件、半导体制备技术、集成电路设计与应用、封装、检测与设备。
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2. 投稿方法
①系统投稿:请登录《半导体技术》网站“作者投稿” 一栏进行投稿(推荐);
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3. 投稿要求
♦ 作者在投稿前,须准备好全部作者签字、单位盖章的论文审查证明,在投稿系统中上传电子扫描版。投稿作者必须遵守学术规范和准则,勿一稿多投,杜绝泄密、抄袭、剽窃等行为。
♦ 来稿应论点明确、数据可靠、条理清晰、文字精炼,论文撰写符合国家出版标准和规范。
♦ 英文稿件要求语法规范、用词准确、表述无误。
♦ 来稿请附第一作者及通信作者的联系方式,包括通信地址及邮编、固定或移动电话、E-mail,以便及时与作者联系。
♦ 在稿件的最后一页需附上作者简介、第一作者近期1寸免冠证件照片(JPG格式)。若第一作者为在校学生,还需提供导师的个人简介(作者简介总数不超过3个),并确认导师是否同意投稿,且文中所有内容(例如:数据)已经核实准确无误。
4. 书写格式
♦ 题目要求不超过20字。
♦ 署名作者及所在单位:提供中英文的单位全称、所在城市和邮政编码,作者人数不超过7人。
♦ 中英文摘要:摘要宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论,中文250字左右。
♦ 关键词:中英文5~8个。
♦ 中图书分类号:采用中国图书分类法(第五版进行分类),国际图书分类号采用EEACC和PACC分类。
♦ 基金项目:在首页页脚标注项目名称和批准号。
♦ 缩略词和物理量:正文部分英文缩略词第一次出现时须写出中英文全称;物理量符号须分清大小写、正斜体、上下角,第一次出现该符号时需给出其含义。
♦ 图、表和公式:按在论文中出现的先后顺序编号并排在正文相应位置,在图下面标注图题、图注。有分图时分图用(a), (b), (c)等标识并给出中文分图题,插图最好用矢量图格式。表格应简明,宜用三线表。图题和表题要求中英文对照。图和表里的文字用中文。图表以不小于50 mm×70 mm 为宜,照片须清晰,分辨率不低于600 dpi。图、表中出现的物理量名称和符号须与正文一致,不要出现正文中没有交待或与正文内容无关的文字或符号。公式在文章中以阿拉伯数字连续编号,需用Mathtype公式编辑器编辑。
♦ 参考文献:按在正文中出现的顺序编号,用方括号标于引文处右上角,并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料,应符合GB/T 7714—2015文献著录规则,著录项目齐全。
⇒ 期刊的格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 文章题目(英文首字母大写)[J]. 刊名(每个英文单词首字母大写),发表年份,卷(期):起止页码.
⇒ 书籍的格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 书名(英文首字母大写)[M]. 出版地:出版社,出版年份:参考起止页码.
⇒ 会议论文集格式:作者(列前三名,姓前名后,英文全部大写),等. 文章题目(英文首字母大写)[C] // 会议名称. 会议召开的城市,国别,年份:起止页码.
♦ 作者简介(含导师简介):姓名(出生年—),性别,籍贯(出生地,如:河北石家庄人),学历,职称,从事专业或研究方向。
5. 审稿流程
收到稿件后,编辑部将通过“科技期刊学术不端文献检测系统”、网络搜索文献对比和编辑部综合审查等对稿件进行初审(5~7个工作日),无论初审通过与否,编辑部都会尽快告知。初审通过后的稿件将送至相关领域专家进行“双盲审稿”,编辑部于40天左右将评审意见发给作者。作者应将修改后的文稿及时(3周内)返回编辑部,审阅通过后将进行编辑加工和印刷出版。
6. 注意事项
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