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《电工电能新技术》2018年10期
 
更新日期:2020-08-27   来源:电工电能新技术   浏览次数:145   在线投稿
 
 

核心提示:目录基于SiIGBT/SiCMOSFET的混合开关器件综述宁圃奇;李磊;曹瀚;温旭辉;1-9碳化硅MOSFET反向导通特性建模研究周志达;葛琼璇;赵鲁;

 
目录
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件综述宁圃奇;李磊;曹瀚;温旭辉;1-9
碳化硅MOSFET反向导通特性建模研究周志达;葛琼璇;赵鲁;杨博;10-16
基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究宋瓘;白云;顾航;陈宏;谭犇;杜丽霞;17-21
4H-SiC沟槽结势垒二极管研制汤益丹;董升旭;杨成樾;郭心宇;白云;22-26+38
1200V SiC超结VDMOS研究郭心宇;白云;雷天民;27-31
双面散热SiC MOSFET模块的封装结构强度设计陆国权;刘文;梅云辉;32-38
基于Cu、Sn预成型焊片的高温SiC芯片焊接材料研究徐红艳;周润晖;宁圃奇;徐菊;39-43
用于高密度主控板的软件RDC解码系统研制范涛;何国林;李恒宇;温旭辉;44-50
基于分立器件的SiC MOSFET功率模块门极驱动电路设计王翰祥;蒋栋;51-57
基于GaN HEMT的高效率、高功率密度LLC谐振变换器的设计李媛;马红波;柯玉连;58-64+88
基于SiC MOSFET的无桥Boost PFC变换器研究与设计黎晓;马红波;庞亮;65-70
150℃半桥式SiC高温直流开关电源设计杨杰;叶柠;高伟;闫逸伍;71-76
SiC逆变器在不同开关频率下直流侧EMI滤波器分析张野驰;蒋栋;阳世荣;77-82
IGBT键合线脱落故障特征分析孔梅娟;李志刚;赵旺旺;87-92



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